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SCR

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2N128


GE PNP transistor
GFX
UCB -10V
IC -5mA
hFE -
Ptot 25mW
fT >28MHz
TJ -
2N128 è un transistor germanium PNP, Ucb = 10V, Ic = 5mA, d´application: stadi alta frequenza
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Informazioni aggiuntive per 2N128
OEM:Solid State... [piú]
Solid State Devices, Inc. USA
copertura:TO-24
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare:-
prodotti simili: ↑AF127, [piú]
AF127,AF200
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2N128


GE PNP transistor
GFX
UCB -10V
IC -5mA
hFE -
Ptot 25mW
fT >28MHz
TJ -
2N128 è un transistor germanium PNP, Ucb = 10V, Ic = 5mA, d´application: stadi alta frequenza
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Informazioni aggiuntive per 2N128
OEM:Solid State... [piú]
Solid State Devices, Inc. USA
copertura:TO-24
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2N128


GE PNP transistor
GFX
UCB -10V
IC -5mA
hFE -
Ptot 25mW
fT >28MHz
TJ -
2N128 è un transistor germanium PNP, Ucb = 10V, Ic = 5mA, d´application: stadi alta frequenza
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Informazioni aggiuntive per 2N128
OEM:Solid State... [piú]
Solid State Devices, Inc. USA
copertura:TO-24
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AF127


GE PNP transistor
simile a 2N128 vedi nota
GFX
UCE/UCB -20/-20V
IC -10mA
hFE 40-140
Ptot 60mW
fT 75MHz
TJ 75°C
AF127 è un simili transistor germanium PNP, Uce = 20V, Ic = 10mA, d´application: stadi di entrata e miscelatore in stadi RF (AM), ricevitori FM/AM, amplificatore IF
Foto: -
fonte: SH Halbleiter DB 1963
Prodotto simile: AF127
OEM:Siemens AG
copertura: 18A4
scheda tecnica (jpg):disponibile
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
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AF127


GE PNP transistor
simile a 2N128 vedi nota
GFX
UCE/UCB -20/-20V
IC -10mA
hFE 40-140
Ptot 60mW
fT 75MHz
TJ 75°C
AF127 è un simili transistor germanium PNP, Uce = 20V, Ic = 10mA, d´application: stadi di entrata e miscelatore in stadi RF (AM), ricevitori FM/AM, amplificatore IF
Foto: -
fonte: SH Halbleiter DB 1963
Prodotto simile: AF127
OEM:Siemens AG
copertura: 18A4
scheda tecnica (jpg):disponibile
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AF127


GE PNP transistor
simile a 2N128 vedi nota
GFX
UCE/UCB -20/-20V
IC -10mA
hFE 40-140
Ptot 60mW
fT 75MHz
TJ 75°C
AF127 è un simili transistor germanium PNP, Uce = 20V, Ic = 10mA, d´application: stadi di entrata e miscelatore in stadi RF (AM), ricevitori FM/AM, amplificatore IF
Foto: -
fonte: SH Halbleiter DB 1963
Prodotto simile: AF127
OEM:Siemens AG
copertura: 18A4
scheda tecnica (jpg):disponibile
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OEM scheda tecnica:-
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AF200


GE PNP transistor
simile a 2N128 vedi nota
GFX
UCE/UCB -25/-25V
IC -10mA
hFE 30-85
Ptot 225mW
fT -
TJ 90°C
AF200 è un simili transistor germanium PNP, Uce = 25V, Ic = 10mA, d´application: amplificatore TV IF
Foto: disponibile
fonte: SH Halbleiter DB 1970/71...... [piú]
SH Halbleiter DB 1970/71 Standardtypen
Prodotto simile: AF200
OEM:Siemens AG
copertura: 18B4
scheda tecnica (jpg):disponibile
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AF200


GE PNP transistor
simile a 2N128 vedi nota
GFX
UCE/UCB -25/-25V
IC -10mA
hFE 30-85
Ptot 225mW
fT -
TJ 90°C
AF200 è un simili transistor germanium PNP, Uce = 25V, Ic = 10mA, d´application: amplificatore TV IF
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SH Halbleiter DB 1970/71 Standardtypen
Prodotto simile: AF200
OEM:Siemens AG
copertura: 18B4
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AF200


GE PNP transistor
simile a 2N128 vedi nota
GFX
UCE/UCB -25/-25V
IC -10mA
hFE 30-85
Ptot 225mW
fT -
TJ 90°C
AF200 è un simili transistor germanium PNP, Uce = 25V, Ic = 10mA, d´application: amplificatore TV IF
Foto: disponibile
fonte: SH Halbleiter DB 1970/71...... [piú]
SH Halbleiter DB 1970/71 Standardtypen
Prodotto simile: AF200
OEM:Siemens AG
copertura: 18B4
scheda tecnica (jpg):disponibile
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